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動態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀

更新時間:2024-12-10

訪問量:3852

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

設(shè)備型號:S920

簡要描述:
梓夢科技動態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀原理
當(dāng)激光照射到分散于液體介質(zhì)中的微小顆粒時,由于顆粒的布朗運動引起散射光的頻率偏移,導(dǎo)致散射光信號隨時間發(fā)生動態(tài)變化,該變化的大小與顆粒的布朗運動速度有關(guān),而顆粒的布朗運動速度又取決于顆粒粒徑的大小,顆粒大布朗運動速度低,反之顆粒小布朗運動速度高
品牌其他品牌產(chǎn)地國產(chǎn)
產(chǎn)品新舊全新自動化程度全自動
測量角度11°≤X≤175°光源波長532nm/671nm 固體激光器

動態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀

梓夢科技動態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

當(dāng)激光照射到分散于液體介質(zhì)中的微小顆粒時,由于顆粒的布朗運動引起散射光的頻率偏移,導(dǎo)致散射光信號隨時間發(fā)生動態(tài)變化,該變化的大小與顆粒的布朗運動速度有關(guān),而顆粒的布朗運動速度又取決于顆粒粒徑的大小,顆粒大布朗運動速度低,反之顆粒小布朗運動速度高,因此動態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀技術(shù)是分析樣品顆粒的散射光強隨時間的漲落規(guī)律,使用光子探測器在固定的角度采集散射光,通過相關(guān)器進行自相關(guān)運算得到相關(guān)函數(shù),再經(jīng)過數(shù)學(xué)反演獲得顆粒粒徑信息。


動態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀性能特點

1、高效的光路系統(tǒng):采用固體激光器和一體化光纖技術(shù)集成的光路,充分滿足空間相干性的要求,極大地提高了散射光信號的信噪比。

2、高靈敏度光子探測器:采用計數(shù)型光電倍增管或雪崩光電二極管,對光子信號具有*的靈敏度和信噪比; 采用邊沿觸發(fā)模式對光子進行計數(shù),瞬間捕捉光子脈沖的變化。

3、大動態(tài)范圍高速光子相關(guān)器:采用高、低速通道搭配的結(jié)構(gòu)設(shè)計光子相關(guān)器,有效解決了硬件資源與通道數(shù)量之間的矛盾,實現(xiàn)了大的動態(tài)范圍,并保證了相關(guān)函數(shù)基線的穩(wěn)定性。

4、高精度溫控系統(tǒng):基于半導(dǎo)體制冷技術(shù),采用自適應(yīng)PID控制算法,使樣品池溫度控制精度達±0.1℃。

5、數(shù)據(jù)篩選功能:引入分位數(shù)檢測異常值的方法,鑒別受灰塵干擾的散射光數(shù)據(jù),并剔除異常值,提高粒度測量結(jié)果的準(zhǔn)確度。

6、優(yōu)化的反演算法:采用優(yōu)擬合累積反演算法計算平均粒徑及多分散系數(shù),基于非負約束正則化算法反演顆粒粒度分布,測量結(jié)果的準(zhǔn)確度和重復(fù)性都優(yōu)于1%。


納米粒度及zeta電位分析儀測量

納米粒度及zeta電位分析儀是表征分散體系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)zeta電位愈高,顆粒間的相互排斥力越大,膠體體系愈穩(wěn)定, 因此通過電泳光散射法測量zeta電位可以預(yù)測膠體的穩(wěn)定性。


動態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

帶電顆粒在電場力作用下向電極反方向做電泳運動,單位電場強度下的電泳速度定義為電泳遷移率。顆粒在電泳遷移時,會帶著緊密吸附層和部分擴散層一起移動,與液體之間形成滑動面,滑動面與液體內(nèi)部的電位差即為zeta電位。Zeta電位與電泳遷移率的關(guān)系遵循 Henry方程,通過測量顆粒在電場中的電泳遷移率就能得出顆粒的zeta電位。


納米粒度及zeta電位分析儀性能特點

1.利用光纖技術(shù)集成發(fā)射光路和接收光路,替代傳統(tǒng)電泳光散射的分立光路,使參考光和散射光信號的傳輸不受灰塵和外界雜散光的干擾,有效地提高了信噪比和抗干擾能力。

2.先對散射光信號進行頻譜預(yù)分析,獲取需要細化分析的頻譜范圍,然后在窄帶范圍內(nèi)進行高分辨率的頻譜細化分析,從而獲得準(zhǔn)確的散射光頻移。

3.基于雙電層理論模型,求解顆粒的雙電層厚度,獲得準(zhǔn)確的顆粒半徑與雙電層厚度的比值,再利用小二乘擬合算法獲得精確的Henry函數(shù)表達式,進而有效提高了納米粒度及zeta電位分析儀的計算精度。

Henry函數(shù)的取值:

當(dāng)雙電層厚度遠遠小于顆粒的半徑,即ka>>1,Henry函數(shù)近似為1.5。雙電層厚度遠遠大于顆粒半徑時,即ka<<1,Henry函數(shù)近似為1.0。使用小二乘曲線擬合算法對Wiersema計算的精確Henry函數(shù)值進行擬合, 得到優(yōu)化Henry函數(shù)表達式.


強大易用的控制軟件

ZS-920系列納米粒度及zeta電位分析儀的控制軟件具有納米顆粒粒度和zeta電位測量功能,一鍵式測量,自動調(diào)整散射光強, 無需用戶干涉,自動優(yōu)化光子相關(guān)器參數(shù),以適應(yīng)不同樣品,讓測量變得如此輕松。控制軟件更具有標(biāo)準(zhǔn)化操作(SOP)功能,讓不同實驗室、不同實驗員間的測量按照同一標(biāo)準(zhǔn)進行,測量結(jié)果更具有可比性。測量完成自動生成報表,以可視化的方式展示測量結(jié)果,讓測量結(jié)果一目了然。

動態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀的技術(shù)指標(biāo)

動態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀



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